RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link