RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
62
Wokół strony -158% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
24
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3257
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link