RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
74
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
74
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link