RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

62 74

Rund um 16% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.3 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

7.7 5.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1612 1779

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns