RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
22.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link