RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
62
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
32
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
22.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3837
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MM58E8F1600 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Crucial Technology ST25664BA1339.8FMR 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Kllisre 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link