RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
19.4
Скорость записи, Гб/сек
9.0
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3351
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link