RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
36
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2143
3351
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB RAM-Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link