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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3351
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Confronto tra le RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
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