RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3772
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link