RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
48
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
29
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3076
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link