RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2496
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link