RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сравнить
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,475.5
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
56
Около -107% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
8800
Около 2.18 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,878.3
18.3
Скорость записи, Гб/сек
2,475.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8800
19200
Other
Описание
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
598
3899
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Сравнения RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link