RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около -144% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3029
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link