RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link