RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link