RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston 9965596-016.B01G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link