RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
62
Por volta de -77% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.1
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
35
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
6.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
1853
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link