RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston 9965604-008.C00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
62
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
47
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
11.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2341
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link