RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
62
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
47
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99P5458-011.A00LF 4GB
Kingston 99P5471-002.A00L 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link