RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
62
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
47
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2401
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link