RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston KHX2400C14/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
62
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
26
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2627
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link