RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2034
2809
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link