RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link