RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 62
    Около -63% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.9 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    10.5 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 10600
    Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 38
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.4 left arrow 13.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 10.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1612 left arrow 2400

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
модули RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
модули RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
модули RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
модули RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
модули RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
модули RAM