RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
62
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
38
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link