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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
62
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
38
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2400
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
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Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
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