RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
7.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1855
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link