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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
41
62
Rund um -51% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
7.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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