RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2616
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link