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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
62
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
34
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2616
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
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Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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