RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
40
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link