RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
62
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
40
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2204
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link