RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
62
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
35
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2654
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link