RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

35 62

Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

15 7.4

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.0 5.9

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1612 2654

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns