RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
62
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
31
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
11.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2585
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link