RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3119
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link