RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3119
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link