RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3528
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link