RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
62
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
27
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3528
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link