RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
18.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3466
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link