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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
62
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3466
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Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
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