RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    55 left arrow 62
    Около -13% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.3 left arrow 7.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.3 left arrow 5.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 10600
    Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    62 left arrow 55
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.4 left arrow 16.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    5.9 left arrow 12.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1612 left arrow 2653

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM

Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB Сравнения RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
InnoDisk Corporation 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
модули RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
модули RAM
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
модули RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
модули RAM
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-024.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
модули RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
модули RAM