RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.9
5.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
62
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
34
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
9.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1839
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link