RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
5.9
4.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
62
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
7.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
56
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
7.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
4.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link