RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.9
4.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
56
62
En -11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
7.5
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
56
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
7.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
4.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1598
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link