RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2648
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link