RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2648
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link