RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
62
Autour de -121% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.6
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
28
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2648
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link