RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-CK0 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link