RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
71
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
71
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link