RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
71
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
71
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
1922
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link