RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
62
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
52
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
10.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2390
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link