RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2073
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link