RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
38
Около -73% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
22
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2989
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link