RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2854
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link